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DMN2016UTS
0.06
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.03
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS = 1.8V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.02
0.01
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0
5 10 15 20 25
30
0
5
10 15 20 25 30
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.03
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
1.0
0.8
V GS = 8.0V
I D = 10A
0.01
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 8.0V
I D = 10A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.0
1.6
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
T A = 25°C
0.8
0.4
0
I D = 250μA
I D = 1mA
8
4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2016UTS
Document number: DS31995 Rev. 1 - 2
3 of 6
www.diodes.com
December 2009
? Diodes Incorporated
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